2025/0223繼續補述圖3-44

若讀者先參照 共生性  頁面，再參照下圖，

就會發現單筆化的 注音集能很好地解決頭字問題。因為它們除了對應注音符號，本身也有雙疋系統的 初調字發音。

比如 下圖裡，橘色字料的 那一行。

2023/1109補述圖3-44

==>現有更好的 兩種方案。第一種用今年介紹的 "双拼轉調"技巧；第二種用子母拼法 予 頭音之眾，如下圖所示:

所謂子母拼法將被介紹於 明年的新著，請讀者稍待。

2022/07/05補述習題3.1

==>所論A 於 題目中 指放大器的 放大倍率。

2022/07/05補述3.4.2小節

==>文中說"拜電感之賜， 當跨壓高時部分電能被儲存 在 電感上"。

因為磁特性 和 0阻值 於 理想態，所以 理想電感可產生跨壓 和 電流 卻 不消耗功率。

用簡單的 積分，咱可知要電感L有電流I需做功(1/2)*L*I^2。這能量被存 在 電感上，可以稍後再被釋放 給 負載。

所以，所謂不消耗功率，不是指不需做功就能建立電流。

而是指做功建立電流後，好比建立了勢能，電感本身不浪費它，稍後負載再消耗該能量 于 熱能動能等形式。

2022/07/05補述3.5.3小節

==>圖3-31(B)中，縱軸下方有個-80dB，只是個例子，表示常見的 穩壓電路 在 低頻處能壓制電源噪聲 于 幾個數量級。

所以 若取法圖3-31(A) 去 表達(B)圖，則 其高處就在80dB。當然實際源抗比可據有其它數字。

2022/07/04補述3.3.1小節

==>表格3-1中，LDO的 效能其實可以有不同的 評價 在 不同的角度。

比如若LDO的dropout僅1/10 於 VDD，且負載遠大於靜態電流，則其實效率並不差，甚至可好過CP。

若dropout大，比方佔3/5於VDD，則確實效率低下。因此表中所謂"效能"可因情況 而 異。

2022/05/01補述小節3.2.1

==>如下圖所示，左側展示書中分析 予 偏比鏡。今日有兩點補述 關於 此議。

==>首先，本圖未依本書手稿慣例，即藍色標示輸入、紅色標示輸出。

其次，若要做迴路分析 針對 偏比鏡 用 模擬器 去 驗證，

則量測電壓輸入vs電壓輸出較簡單，如 圖右側所示。

右側圖展示一結果 其不同於書中分析，即A、B兩點為穩態點 且 T點為介穩態點，其中A點不位 於 原點。

書中用圖3-5和圖3-6去呈現O、M、P三點，一方面是希望將電流和電壓解同時示於圖上，

另一方面也是一個近似簡化 去 講解概念。

==>讀者看右側圖即知，當 實際用極端情況模擬時，低壓穩態點不需要位 在 原點。

設計者加裝啟動電路 予 偏比鏡，其實也就是要確保啟動時VBN能高於T點，

使得最終工作電壓穩定 於 可用的 高處，而非低處

若讀者模擬 于 常溫，且模型角位 在 常態製程區，右側圖可能變成只有一個交點，代表不須外加啟動電路，電路也能正確地運作。

但這裡有個額外的 問題，即電晶體模型不一定能準確預測MOS行為 在 關閉狀態，因此咱不能保證疊圖曲線整段都準確。

再加上製程會產生變異，難保產品實際特性不會有多個穩態點 在 某些情況。因此，加上一個啟動電路還是比較保險的。

2022/09/19補述3.9節

==>文中說注音符號上一列對應單筆號，在大部分情況下是對的。

少數幾個注音符號對應到雙拼的單筆號，即拼筆。